本研究主軸以如何將一顆市售功率元件解構並且將之轉換為可模擬的檔案為目的，先介紹功率電晶體會使用到的結構、如JFET、MOSFET等，並比較Si與SiC之間的差異。接著利用電子掃描顯微鏡拍攝輪廓，再以該結果為目標，使用Silvaco TCAD寫出與其相符的結構，並且模擬電性如IDVD、崩潰電壓等，而也成功的將結果逼近 Data sheet。最後回到拍攝 SEM 前面的步驟，前處理試片表面，從AB膠封埋、拋光研磨、酸液蝕刻到最後SEM實際拍攝等，成功的將一顆完整的元件拆解。

The main purpose of this research is how to deconstruct a commercially available power device and convert it into a simulated file. First, introduce the structures that power transistors will use, such as JFET, MOSFET, etc., and compare the differences between Si and SiC. Then use the scanning electron microscope to shoot the contour, and then use the result as the goal, use Silvaco TCAD to write the structure that matches it, and simulate the electrical properties such as IDVD, breakdown voltage, etc., and successfully approximate the result to the parameter table. Finally, return to the previous steps of shooting the SEM, pre-treating the surface of the test piece, from AB glue encapsulation, polishing and grinding, acid etching to the final SEM actual shooting, etc., successfully dismantling a complete component.

致謝 I
摘要 II
Abstract III
目錄 IV
圖目錄 VII
表目錄 IX
第一章 緒論 1
1.1 前言 1
1.2 研究動機 4
1.3 論文架構 5
第二章 功率電晶體特性介紹 7
2.1 一般功率電晶體結構簡介 7
2.1.1 JFET結構簡介 7
2.1.2 MOSFET結構簡介 8
2.2 Si、SiC、GaN功率電晶體之介紹與比較 9
第三章 碳化矽功率電晶體解構與模擬 15
3.1 碳化矽元件解構 15
3.1.1 元件介紹 15
3.1.2 SEM拍攝(染色前) 15
3.1.3 SEM拍攝(染色後) 24
3.2 碳化矽元件模擬 34
3.2.1 模擬軟體介紹 34
3.2.2 模擬結果 35
第四章 矽功率電晶體解構 39
4.1 矽元件解構 39
4.1.1 拋光研磨 39
4.1.2 酸液蝕刻 41
4.1.3 SEM拍攝 43
第五章 結論與未來方向 51
參考文獻 53
附錄一 CODE 55
附錄二 參考文獻中網頁資料內容 62

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